¿Qué es un transistor FET?

Un transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que puede controlar la cantidad de electricidad que puede pasar. Los transistores FET pueden cambiar o controlar la electricidad muy rápidamente. Algunos transistores de efecto de campo pueden manejar grandes cantidades de energía eléctrica, lo que lo hace útil en una amplia variedad de equipos electrónicos y eléctricos utilizados en aplicaciones de consumo, comerciales y militares.

El transistor FET generalmente tiene terminales de fuente, drenaje y compuerta. La resistencia eléctrica entre la fuente y el drenaje se puede manipular cambiando el potencial eléctrico, o el voltaje, entre la puerta y la fuente. Dado este efecto, el transistor FET se puede usar en cualquier circuito electrónico, como fuentes de alimentación, amplificadores y receptores.

Los tipos de transistores FET incluyen la unión FET (JFET) y el óxido de metal FET (MOSFET). El JFET tiene una unión entre la puerta y la fuente, mientras que el transistor MOSFET tiene una puerta aislada de la fuente. Los transistores FET también pueden clasificarse como dispositivos de agotamiento o mejora. Para un transistor FET de agotamiento, el canal conductor principal entre la fuente y el drenaje es inicialmente conductor cuando hay cero voltaje entre la puerta y la fuente. Para un transistor de mejora, el canal conductor principal está casi ausente cuando hay voltaje cero entre la puerta y la fuente.

En los circuitos electrónicos, los dispositivos de conmutación actúan como un interruptor de luz ordinario, encendiéndolo o apagándolo. Además de la conmutación, un dispositivo puede controlar el flujo de corriente o carga eléctrica a través de una ruta específica en el circuito. Esta capacidad hace posible construir muchos circuitos útiles, como amplificadores y receptores, utilizados en aparatos comerciales como equipos de música, radios, televisores y computadoras domésticas.

Antes de que se descubriera el transistor FET, la industria electrónica usaba el transistor de unión bipolar (BJT), que a su vez procedía del tubo de vacío (VT), un tubo de vidrio sellado con al menos tres terminales principales conocidos como cátodo, placa y rejilla. ubicado dentro de una aspiradora. La carga eléctrica del cátodo a la placa vuela a través de un vacío a través de un estado gaseoso, mientras que la red controla el flujo de electricidad entre la placa y el cátodo. Por un diseño adecuado, el tubo de vacío se puede usar como interruptor o como amplificador, como es más común. En este caso, acepta bajos niveles de señales, como sonido o radio, y produce réplicas de gran nivel o versiones amplificadas.

Cuando el BJT comenzó a usarse a gran escala, los tubos de vacío se reservaron para aplicaciones especiales donde la economía de energía no era una prioridad. El BJT fue el primer dispositivo de estado sólido porque las cargas viajaron a través de material sólido hasta el final. Otros desarrollos introdujeron el transistor FET, que proporcionó un rendimiento superior de bajo ruido, lo que lo hace el más adecuado para aplicaciones especiales como radio y comunicaciones ópticas.